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       近期，蘭州大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院田永輝教授課題組與澳大利亞皇家墨爾本理工大學(xué)（RMIT）Arnan Mitchell教授課題組及上海交通大學(xué)蘇翼凱教授課題組合作，在薄膜鈮酸鋰晶圓的表面沉積（HMDS增粘劑沉積系統(tǒng)）一層氮化硅薄膜，通過(guò)成熟的CMOS兼容工藝刻蝕氮化硅層可以得到氮化硅-鈮酸鋰異質(zhì)脊型波導(dǎo)，解決了直接刻蝕鈮酸鋰薄膜帶來(lái)的波導(dǎo)側(cè)壁角度等問(wèn)題，并基于該波導(dǎo)實(shí)現(xiàn)了高性能的模式和偏振復(fù)用器件。相關(guān)結(jié)果以“Mode and Polarization-division multiplexing based on silicon nitride loaded lithium niobate on insulator platform”為題在線發(fā)表在Laser & Photonics Reviews上，并將于當(dāng)期Front Cover做簡(jiǎn)要介紹。蘭州大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院博士生韓旭為論文第一作者，田永輝教授為論文通訊作者，皇家墨爾本理工大學(xué)任光輝博士為論文共同通訊作者。

       由于氮化硅材料擁有略低于鈮酸鋰材料的折射率，因此大部分光場(chǎng)仍限制在鈮酸鋰中，如圖1所示，這樣的性質(zhì)有利于在同一塊襯底上利用鈮酸鋰優(yōu)異的材料屬性實(shí)現(xiàn)電光調(diào)制器和光學(xué)非線性器件。同時(shí)，氮化硅材料還擁有與鈮酸鋰相似的光學(xué)透明窗口，有助于實(shí)現(xiàn)超寬帶器件。合作團(tuán)隊(duì)前期在基于氮化硅-薄膜鈮酸鋰異質(zhì)集成的光子器件(器件潔凈烤箱）方面還完成了一些相關(guān)工作：(1) 光柵耦合器 [APL Photonics 6(8), 086108, 2021]，只需一步刻蝕，最大耦合效率~ -4 dB，3 dB帶寬大于70 nm，是該平臺(tái)上光柵耦合器的首次報(bào)道；(2) 電光調(diào)制器 [Optics Letters 46(23), 5986-5989, 2021]，驗(yàn)證了對(duì)OOK信號(hào)的高速電光調(diào)制，演示的最大調(diào)制速率可達(dá)80 Gbps。

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