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等離子體增強硅烷氣相沉積系統(tǒng)的技術原理
來源: | 作者:上海雋思半導體設備部 | 發(fā)布時間: 2026-03-12 | 160 次瀏覽 | ?? 點擊朗讀正文 ?? ? | 分享到:

   等離子體增強硅烷氣相沉積系統(tǒng)、亦稱等離子體硅烷蒸鍍系統(tǒng)技術是將低壓氣體放電形成的等離子體應用于化學氣相沉積的技術。

等離子激發(fā)的化學氣相沉積借助于真空環(huán)境下氣體輝光放電產(chǎn)生的低溫等離子體,增強了反應物質(zhì)的化學活性,促進了氣體間的化學反應,從而在低溫下也能在基片上形成新的固體膜。

    等離子體增強硅烷氣相沉積系統(tǒng)、等離子體硅烷蒸鍍系統(tǒng)是將工件置于低氣壓輝光放電的陰極上,然后通入適當氣體,在一定的溫度下,利用化學反應和離子轟擊相結合的過程,在工件表面獲得涂層。其中包括一般化學氣相沉積技術,再加上輝光放電的強化作用。  

   輝光放電是典型的自激發(fā)放電現(xiàn)象。這一放電最主要的特征是從陰極附近到克魯克斯暗區(qū)的中場強很大。在陰極輝光區(qū)中,會發(fā)生比較劇烈的氣體電離。同時發(fā)生陰極濺射,為沉積薄膜提供了清潔而活性高的表面。由于整個工件表面被輝光層均勻覆蓋,使工件能得到均勻的加熱。陰極的熱能主要靠輝光放電中激發(fā)的中性粒子與陰極粒子碰撞所提供,一小部分離子的轟擊也是陰極能量的來源。輝光放電的存在,使反應氣氛得到活化,其中基本的活性粒子是離子和原子團,它們通過氣相中電子—分子碰撞產(chǎn)生,或通過固體表面離子、電子、光子的碰撞所產(chǎn)生,因而整個沉積過程與只有熱激活的過程有顯著不同。以上這些作用在提高涂層的結合力、降低沉積溫度、加快反應速度諸方面都創(chuàng)造了有利的條件。

等離子體增強硅烷氣相沉積系統(tǒng)、等離子體硅烷蒸鍍系統(tǒng)應用于 

航空航天新材料疏水處理、陶瓷纖維板材疏水處理、陶瓷纖維棉憎水劑蒸鍍。

手機平板:抗指紋、防水處理等。

納米壓印:納米壓印脫模階段,抗粘劑蒸鍍工藝。

疏水層制備:生物基材表面、玻璃表面、微流控器件等硅烷偶聯(lián)劑(氨丙基三乙氧基硅烷KH-550/570等、全氟辛基三氯硅烷、全氟癸基三甲氧基硅烷、OTS十八烷基三氯硅烷)鍍膜等工藝。



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